文献
J-GLOBAL ID:200902198141582123
整理番号:93A0508067
水素と窒素の混合物中でトリメチルガリウムと固体ひ素を用いて成長させたGaAs層への炭素ドーピング
Carbon doping in GaAs layers grown with trimethylgallium and solid arsenic in a mixture of hydrogen and nitrogen.
著者 (3件):
PENA-SIERRA R
(Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del IPN, Mexico, MEX)
,
ESCOBOSA A
(Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del IPN, Mexico, MEX)
,
SANCHEZ-R V M
(Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del IPN, Mexico, MEX)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
62
号:
19
ページ:
2359-2361
発行年:
1993年05月10日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)