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文献
J-GLOBAL ID：200902198157300195
整理番号：93A0265027
nとp-GaAs(100)上へのアルミと金接合のためのFermi準位安定化への半導体成長法とバルクドープの影響
Effect of Semiconductor Growth Method and Bulk Doping on Fermi Level Stabilization for Aluminum and Gold Contacts on n- and p-GaAs(100).
VITOMIROV I M
(Xerox Webster Research Center, New York)
,
RAISANEN A
(Xerox Webster Research Center, New York)
,
CHANG S
(Xerox Webster Research Center, New York)
,
VITURRO R E
(Xerox Webster Research Center, New York)
,
BRILLSON L J
(Xerox Webster Research Center, New York)
,
RIOUX D F
(Univ. Wisconsin, Wisconsin)
,
KIRCHNER P D
(IBM T.J. Watson Research Center, New York)
,
PETTIT G D
(IBM T.J. Watson Research Center, New York)
,
WOODALL J M
(IBM T.J. Watson Research Center, New York)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 22 号： 1 ページ： 111-117 発行年： 1993年01月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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