文献
J-GLOBAL ID:200902198165258254
整理番号:01A1035833
極低オン状態電圧を持つ600V CSTBT
600V CSTBT Having Ultra Low On-State Voltage.
著者 (5件):
TAKAHASHI H
(Mitsubishi Electric Corp., JPN)
,
AONO S
(Mitsubishi Electric Corp., JPN)
,
YOSHIDA E
(Ryoden Semiconductor System Engineering Corp., JPN)
,
MORITANI J
(Mitsubishi Electric Corp., JPN)
,
HINE S
(Mitsubishi Electric Corp., JPN)
資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻:
13th
ページ:
445-448
発行年:
2001年
JST資料番号:
W1300A
ISSN:
1943-653X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)