文献
J-GLOBAL ID:200902198204650728
整理番号:94A0877921
TCADによる高集積0.4μmCMOS回路モデルパラメータ生成
TCAD-based Generation of Circuit Model-Parameters for 0.4um CMOS Process Technology.
著者 (6件):
国友久彰
(日立マイコンシステム)
,
青山仁子
(日立 デバイス開セ)
,
常野克己
(日立 デバイス開セ)
,
中村高秀
(日立 デバイス開セ)
,
佐藤久子
(日立 デバイス開セ)
,
増田弘生
(日立 デバイス開セ)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
94
号:
235(VLD94 52-62)
ページ:
75-81
発行年:
1994年09月14日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)