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J-GLOBAL ID：200902198293982496 整理番号：94A0119818

大粒径ポリシリコンゲートを用いた表面チャネルpMOSFETにおけるゲート酸化膜の信頼性向上

Improving gate oxide integrity of p+PMOSFET by using large grain size polysilicon gate.

著者 (5件)：

小田宗隆

(川崎製鉄 LSI研セ)

志田吉克

(川崎製鉄 LSI研セ)

川口淳一

(川崎製鉄 LSI研セ)

村上武宏

(川崎製鉄 LSI研セ)

金子良夫

(川崎製鉄 LSI研セ)

資料名：

電子情報通信学会技術研究報告 (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻： 93 号： 369(SDM93 172-189) ページ： 97-102 発行年： 1993年12月10日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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