文献
J-GLOBAL ID:200902198320666569
整理番号:99A0055104
表面処理を用いたp型GaNへの低抵抗Pd/AuのOhm接触
Low resistance Pd/Au ohmic contacts to p-type GaN using surface treatment.
著者 (6件):
KIM J K
(Pohang Univ. Sci. and Technol.(POSTECH), Pohang, KOR)
,
LEE J-L
(Pohang Univ. Sci. and Technol.(POSTECH), Pohang, KOR)
,
LEE J W
(Samsung Advanced Inst. Technol.(SAIT), Suwon, KOR)
,
SHIN H E
(Samsung Advanced Inst. Technol.(SAIT), Suwon, KOR)
,
PARK Y J
(Samsung Advanced Inst. Technol.(SAIT), Suwon, KOR)
,
KIM T
(Samsung Advanced Inst. Technol.(SAIT), Suwon, KOR)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
73
号:
20
ページ:
2953-2955
発行年:
1998年11月16日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)