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文献
J-GLOBAL ID：200902198377714950
整理番号：02A0920337
ミクロパイプ解離の4H-SiC成長条件が及ぼす影響
Influence of 4H-SiC Growth Conditions on Micropipe Dissociation.
KAMATA I
(Central Res. Inst. Electric Power Industry (CRIEPI), Yokosuka, JPN)
,
TSUCHIDA H
(Central Res. Inst. Electric Power Industry (CRIEPI), Yokosuka, JPN)
,
JIKIMOTO T
(Central Res. Inst. Electric Power Industry (CRIEPI), Yokosuka, JPN)
,
IZUMI K
(Central Res. Inst. Electric Power Industry (CRIEPI), Yokosuka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41 号： 10B ページ： L1137-L1139 発行年： 2002年10月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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