文献
J-GLOBAL ID:200902198447422545
整理番号:94A0495339
高比抵抗負荷スタティックメモリセル用SOI/MOSFETの動作モードの選択
Selection of operation mode on SOI/MOSFET’s for high-resistivity load static memory cell.
著者 (9件):
INOUE Y
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
,
YAMAGUCHI Y
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
,
YAMAGUCHI T
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
,
TAKAHASHI J
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
,
IWAMATSU T
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
,
WADA T
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
,
NISHIMURA Y
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
,
NISHIMURA T
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
,
TSUBOUCHI N
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
資料名:
Proceedings. 1993 IEEE International SOI Conference
(Proceedings. 1993 IEEE International SOI Conference)
ページ:
94-95
発行年:
1993年
JST資料番号:
K19940472
ISBN:
0-7803-1347-X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)