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文献
J-GLOBAL ID：200902198547364305
整理番号：99A0497786
GaNとAlxGa1-xNのCl2/CH4/Arプラズマによる反応性エッチング
Reactive lon Etching of GaN and AlxGa1-xN Using Cl2/CH4/Ar Plasma.
BASAK D
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
YAMASHITA K
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
SUGAHARA T
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
FAREED Q
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
NAKAGAWA D
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
NISHINO K
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
SAKAI S
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 38 号： 4B ページ： 2646-2651 発行年： 1999年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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