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文献
J-GLOBAL ID：200902198567792540
整理番号：96A0283540
粗い多結晶シリコン表面上に形成した酸化物窒化物酸化物膜の伝導機構
Conduction mechanism of oxide-nitride-oxide film formed on the rough polycrystalline silicon surface.
MATSUO N
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
SASAKI A
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 39 号： 3 ページ： 337-342 発行年： 1996年03月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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