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文献
J-GLOBAL ID：200902198568892476
整理番号：97A0514794
階段型および傾斜型ヘテロ構造のAlGaN/GaN/SiCにおける移動度の増加
Mobility enhancements in AlGaN/GaN/SiC with stair-step and graded heterostructures.
LIN C F
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHENG H C
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
HUANG J A
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
FENG M S
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
GUO J D
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHI G C
(National Central Univ., Chungli, TWN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 70 号： 19 ページ： 2583-2585 発行年： 1997年05月12日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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