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文献
J-GLOBAL ID：200902198581540074
整理番号：94A0313916
1.5V電源電圧をもちいた高性能な0.1μmCMOSデバイス
High Performance 0.1μm CMOS Devices with 1.5V Power Supply.
TAUR Y
(IBM T.J. Watson Research Center, N.Y.)
,
WIND S
(IBM T.J. Watson Research Center, N.Y.)
,
MII Y J
(IBM T.J. Watson Research Center, N.Y.)
,
LII Y
(IBM T.J. Watson Research Center, N.Y.)
,
MOY D
(IBM T.J. Watson Research Center, N.Y.)
,
JENKINS K A
(IBM T.J. Watson Research Center, N.Y.)
,
CHEN C L
(IBM T.J. Watson Research Center, N.Y.)
,
COANE P J
(IBM T.J. Watson Research Center, N.Y.)
,
POLCARI M
(IBM T.J. Watson Research Center, N.Y.)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1993 ページ： 127-130 発行年： 1993年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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