文献
J-GLOBAL ID:200902198588701332
整理番号:97A0373496
2ステップMBE成長によりGaAs(110)微斜面上に形成した均一なGaAs量子細線
Uniform GaAs quantum wires formed on vicinal GaAs(110) surfaces by two-step MBE growth.
著者 (9件):
TAKEUCHI M
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
TAKEUCHI T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
INOUE Y
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
NAKASHIMA H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MAEHASHI K
(Otto-von-Guericke Univ. Magdeburg, Magdeburg, DEU)
,
FISCHER P
(Otto-von-Guericke Univ. Magdeburg, Magdeburg, DEU)
,
CHRISTEN J
(Otto-von-Guericke Univ. Magdeburg, Magdeburg, DEU)
,
GRUNDMANN M
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
BIMBERG D
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
資料名:
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻:
22
号:
1
ページ:
43-49
発行年:
1997年
JST資料番号:
D0600B
ISSN:
0749-6036
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)