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文献
J-GLOBAL ID：200902198648362796
整理番号：93A0478022
融液成長中のシリコン結晶内の点欠陥の拡散 II 一拡散体模型
Diffusion of Point Defects in Silicon Crystals during Melt-Growth. II. One Diffusor Model.
HABU R
(Nippon Steel Corp., Kawasaki)
,
KOJIMA K
(NSC Electron Corp., Yamaguchi)
,
HARADA H
(NSC Electron Corp., Yamaguchi)
,
TOMIURA A
(Nippon Steel Corp., Chiba)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 32 号： 4 ページ： 1747-1753 発行年： 1993年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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