文献
J-GLOBAL ID:200902198658635324
整理番号:93A0439067
1923~2003Kの乾燥酸素中における化学蒸着窒化けい素の酸化
Oxidation of Chemically Vapor-Deposited Silicon Nitride in Dry Oxygen at 1923 to 2003K.
著者 (4件):
NARUSHIMA T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
LIN R Y
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
IGUCHI Y
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
HIRAI T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名:
Journal of the American Ceramic Society
(Journal of the American Ceramic Society)
巻:
76
号:
4
ページ:
1047-1051
発行年:
1993年04月
JST資料番号:
C0253A
ISSN:
0002-7820
CODEN:
JACTAW
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)