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文献
J-GLOBAL ID：200902198774663351
整理番号：99A0484903
III-V半導体のマルチウエハ成長のための新奇な反応炉概念
A novel reactor concept for multiwafer growth of III-V semiconductors.
BECCARD R
(AIXTRON AG, Aachen, DEU)
,
PROTZMANN H
(AIXTRON AG, Aachen, DEU)
,
SCHMITZ D
(AIXTRON AG, Aachen, DEU)
,
STRAUCH G
(AIXTRON AG, Aachen, DEU)
,
HEUKEN M
(AIXTRON AG, Aachen, DEU)
,
JUERGENSEN H
(AIXTRON AG, Aachen, DEU)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 198/199 号： Pt.2 ページ： 1049-1055 発行年： 1999年03月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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