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文献
J-GLOBAL ID：200902198803682719
整理番号：93A0637183
制御された硫黄圧力下の昇華によるNiS2単結晶の成長
Growth of NiS2 single crystals by sublimation under controlled sulfur pressure.
TANAKA U
(Tokyo Inst. Technology, Yokohama, JPN)
,
KOMORI T
(Tokyo Inst. Technology, Yokohama, JPN)
,
ISHIZAWA N
(Tokyo Inst. Technology, Yokohama, JPN)
,
MARUMO F
(Nihon Univ., Tokyo, JPN)
,
NODA Y
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 129 号： 3/4 ページ： 683-685 発行年： 1993年04月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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