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文献
J-GLOBAL ID：200902198877059800
整理番号：99A0991389
Si基板上の3C-SiC成長中のミドギャップ準位の検討
Search for Midgap Levels in 3C-SiC Grown on Si Substrates.
YAMADA N
(Toyota Central Res. and Dev. Lab. Inc., Aichi, JPN)
,
KATO M
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
ICHIMURA M
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
ARAI E
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
TOKUDA Y
(Aichi Inst. Technol., Toyota, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38 号： 10A ページ： L1094-L1095 発行年： 1999年10月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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