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文献
J-GLOBAL ID：200902198881390783
整理番号：93A0505261
850°Cウェットゲート酸化による0.8μm LDD p-MOSFETのホットキャリア誘起劣化機構
The hot-carrier induced degradation mechanisms of 0.8μm LDD p-MOSFET with 850°C wet gate oxidation.
PAN Y
(National Univ. Singapore, Singapore)
資料名：
Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium
(Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 31st ページ： 43-47 発行年： 1993年
JST資料番号： A0631A ISSN： 1541-7026 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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