文献
J-GLOBAL ID:200902198890199182
整理番号:95A0855193
H,HeおよびNのイオン注入によるn型GaNのアイソレーション
H, He, and N implant isolation of n-type GaN.
著者 (6件):
BINARI S C
(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
DIETRICH H B
(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
KELNER G
(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
ROWLAND L B
(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
DOVERSPIKE K
(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
WICKENDEN D K
(Johns Hopkins Univ., Maryland)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
78
号:
5
ページ:
3008-3011
発行年:
1995年09月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)