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文献
J-GLOBAL ID：200902198920857767
整理番号：98A0823855
プラズマ支援分子ビームエピタクシーによる,Si(111)表面上に形成した窒化けい素バッファ層上へのGaNヘテロエピタキシャル成長
GaN heteroepitaxial growth on silicon nitride buffer layers formed on Si(111) surfaces by plasma-assisted molecular beam epitaxy.
NAKADA Y
(Joint Res. Center for Atom Technol.(JRCAT)-Angstrom Technol. Partnership, Ibaraki, JPN)
,
AKSENOV I
(Joint Res. Center for Atom Technol.(JRCAT)-Angstrom Technol. Partnership, Ibaraki, JPN)
,
OKUMURA H
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 73 号： 6 ページ： 827-829 発行年： 1998年08月10日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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