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文献
J-GLOBAL ID：200902199089357449
整理番号：02A0272795
CH4/H2ドライエッチングと有機金属気相エピタクシー再成長法で作製したGaInAsP/InP歪補正量子細線レーザ
GaInAsP/InP Strain-Compensated Quantum-Wire Lasers Fabricated by CH4/H2 Dry Etching and Organometallic Vapor-Phase-Epitaxial Regrowth.
YAGI H
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
MURANUSHI K
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
NUNOYA N
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
SANO T
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
TAMURA S
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
ARAI S
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41 号： 2B ページ： L186-L189 発行年： 2002年02月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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