文献
J-GLOBAL ID:200902199542953350
整理番号:99A0282998
低圧有機金属気相成長を用いたAlNおよびAlGaNの成長
AlN and AlGaN growth using low-pressure metalorganic chemical vapor deposition.
著者 (6件):
NAKAMURA F
(Sony Corp., Yokohama, JPN)
,
HASHIMOTO S
(Sony Corp., Yokohama, JPN)
,
HARA M
(Sony Corp., Yokohama, JPN)
,
IMANAGA S
(Sony Corp., Yokohama, JPN)
,
IKEDA M
(Sony Corp., Yokohama, JPN)
,
KAWAI H
(Sony Corp., Yokohama, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
195
号:
1/4
ページ:
280-285
発行年:
1998年12月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)