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文献
J-GLOBAL ID：200902199805636931
整理番号：02A0475803
トップゲート電極を用いたカーボンナノチューブ電界効果トランジスタの垂直スケーリング
Vertical scaling of carbon nanotube field-effect transistors using top gate electrodes.
WIND S J
(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
,
APPENZELLER J
(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
,
MARTEL R
(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
,
DERYCKE V
(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
,
AVOURIS P
(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 80 号： 20 ページ： 3817-3819 発行年： 2002年05月20日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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