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文献
J-GLOBAL ID：200902199860042056
整理番号：93A0748861
分子線エピタクシーによるGaAs(001)上のInAs成長の表面科学プローブとしての反射異方性
Reflectance anisotropy as a surface science probe of the growth of InAs on (001) GaAs by molecular beam epitaxy.
ARMSTRONG S R
(UMIST, Manchester, GBR)
,
PEMBLE M E
(UMIST, Manchester, GBR)
,
TAYLOR A G
(UMIST, Manchester, GBR)
,
FAWCETTE P N
(Imperial Coll. Science Technology and Medicine, London, GBR)
,
NEAVE J H
(Imperial Coll. Science Technology and Medicine, London, GBR)
,
JOYCE B A
(Imperial Coll. Science Technology and Medicine, London, GBR)
,
ZHANG J
(Imperial Coll. Science Technology and Medicine, London, GBR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 63 号： 4 ページ： 503-505 発行年： 1993年07月26日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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