文献
J-GLOBAL ID:200902199880987774
整理番号:94A0163672
BSGゲート側壁からの拡散により製作された超浅固相拡散ドレイン構造を持つp-MOSFET
P-MOSFET’s with Ultra-Shallow Solid-Phase-Diffused Drain Structure Produced by Diffusion from BSG Gate-Sidewall.
著者 (9件):
SAITO M
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
YOSHITOMI T
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
HARA H
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
ONO M
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
AKASAKA Y
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
NII H
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
MATSUDA S
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
SASAKI MOMOSE H
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
IWAI H
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
40
号:
12
ページ:
2264-2272
発行年:
1993年12月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)