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文献
J-GLOBAL ID：200902200247295489
整理番号：08A0104460
薄いGe層をもつ反転型拡張モードHfO2ベースGaAs金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ
Inversion-type enhancement-mode HfO2-based GaAs metal-oxide-semiconductor field effect transistors with a thin Ge layer
KIM Hyoung-sub
(Microelectronics Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...)
,
OK I.
(Microelectronics Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...)
,
ZHANG M.
(Microelectronics Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...)
,
ZHU F.
(Microelectronics Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...)
,
PARK S.
(Microelectronics Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...)
,
YUM J.
(Microelectronics Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...)
,
ZHAO H.
(Microelectronics Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...)
,
LEE Jack C.
(Microelectronics Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...)
,
OH Jungwoo
(SEMATECH, FEP Div., 2706 Montopolis Drive, Austin, Texas 78741, USA)
,
MAJHI Prashant
(SEMATECH, FEP Div., 2706 Montopolis Drive, Austin, Texas 78741, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 92 号： 3 ページ： 032907 発行年： 2008年01月21日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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