文献
J-GLOBAL ID:200902200375248167
整理番号:05A0452472
InAs/GaAs量子ドットレーザの温度安定性におよぼす活性領域のp型ドーピングの効果
Effect of p-Doping of the Active Region on the Temperature Stability of InAs/GaAs QD Lasers
著者 (9件):
NOVIKOV I. I.
(Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
GORDEEV N. Yu.
(Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
KARACHINSKII L. Ya.
(Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
MAKSIMOV M. V.
(Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
SHERNYAKOV Yu. M.
(Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
KOVSH A. R.
(NL Nanosemiconductor GmbH, Dortmund, DEU)
,
KRESTNIKOV I. L.
(NL Nanosemiconductor GmbH, Dortmund, DEU)
,
KOZHUKHOV A. V.
(NL Nanosemiconductor GmbH, Dortmund, DEU)
,
MIKHRIN S. S.
(NL Nanosemiconductor GmbH, Dortmund, DEU)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
39
号:
4
ページ:
477-480
発行年:
2005年04月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)