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文献
J-GLOBAL ID：200902200454068506
整理番号：09A1274506
原子層蒸着によって成長した高k HfO2ゲート誘電体を持つ低電圧溶液処理nチャネル有機電界効果トランジスタ
Low-voltage solution-processed n-channel organic field-effect transistors with high-k HfO2 gate dielectrics grown by atomic layer deposition
TIWARI Shree Prakash
(Center for Organic Photonics and Electronics (COPE), School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of ...)
,
ZHANG Xiao-hong
(Center for Organic Photonics and Electronics (COPE), School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of ...)
,
POTSCAVAGE William J.
(Center for Organic Photonics and Electronics (COPE), School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of ...)
,
KIPPELEN Bernard
(Center for Organic Photonics and Electronics (COPE), School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 95 号： 22 ページ： 223303 発行年： 2009年11月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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