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文献
J-GLOBAL ID：200902200487652602
整理番号：05A0154215
非対称単極性電圧パルスで駆動される簡単な二元酸化物を用いた高度スケーラブル不揮発性抵抗性メモリ
Highly Scalable Non-volatile Resistive Memory using Simple Binary Oxide Driven by Asymmetric Unipolar Voltage Pulses
BAEK I G
(Samsung Electronics Co., Ltd.)
,
LEE M S
(Samsung Electronics Co., Ltd.)
,
SEO S
(Samsung Advanced Inst. Technol., Kyeonggi-Do, KOR)
,
LEE M J
(Samsung Advanced Inst. Technol., Kyeonggi-Do, KOR)
,
SEO D H
(Samsung Advanced Inst. Technol., Kyeonggi-Do, KOR)
,
SUH D-S
(Samsung Advanced Inst. Technol., Kyeonggi-Do, KOR)
,
PARK S O
(Samsung Electronics Co., Ltd.)
,
KIM H S
(Samsung Electronics Co., Ltd.)
,
CHUNG U-I
(Samsung Electronics Co., Ltd.)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2004 ページ： 587-590 発行年： 2004年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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