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文献
J-GLOBAL ID：200902200528982094
整理番号：06A1036457
軸外し位相シフト電子ホログラフィーによるGaAs半導体中ドーパント濃度分布測定
Mapping of dopant concentration in a GaAs semiconductor by off-axis phase-shifting electron holography
SASAKI H.
(Material R&D Lab., Japan Fine Ceramics Center, 2-4-1 Mutsuno, Atsuta-ku, Nagoya 456-8587, JPN)
,
YAMAMOTO K.
(Material R&D Lab., Japan Fine Ceramics Center, 2-4-1 Mutsuno, Atsuta-ku, Nagoya 456-8587, JPN)
,
HIRAYAMA T.
(Material R&D Lab., Japan Fine Ceramics Center, 2-4-1 Mutsuno, Atsuta-ku, Nagoya 456-8587, JPN)
,
OOTOMO S.
(Yokohama R&D Lab., The Furukawa Electric Ltd., 2-4-3 Okano, Nishi-ku, Yokohama 220-0073, JPN)
,
MATSUDA T.
(Yokohama R&D Lab., The Furukawa Electric Ltd., 2-4-3 Okano, Nishi-ku, Yokohama 220-0073, JPN)
,
IWASE F.
(Yokohama R&D Lab., The Furukawa Electric Ltd., 2-4-3 Okano, Nishi-ku, Yokohama 220-0073, JPN)
,
NAKASAKI R.
(Yokohama R&D Lab., The Furukawa Electric Ltd., 2-4-3 Okano, Nishi-ku, Yokohama 220-0073, JPN)
,
ISHII H.
(Yokohama R&D Lab., The Furukawa Electric Ltd., 2-4-3 Okano, Nishi-ku, Yokohama 220-0073, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 89 号： 24 ページ： 244101-244101-3 発行年： 2006年12月11日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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