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文献
J-GLOBAL ID：200902200629710400
整理番号：05A0703687
単結晶シリコン中,埋込みマイクロチャネルを形成する選択エピタキシャル成長
Selective Epitaxial Growth for Buried Microchannels in Monocrystalline Silicon
DENOUAL Matthieu
(ENS-Cachan antenne de Bretagne, Bruz, FRA)
,
DE SAGAZAN Olivier
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
GUILLOUX-VIRY Martine
(LCSIM, Rennes, FRA)
,
GAUDIN Denis
(STMicroelectronics, Tours, FRA)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44 号： 7A ページ： 5269-5271 発行年： 2005年07月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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