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文献
J-GLOBAL ID：200902200813835062
整理番号：05A0969213
薄膜結晶シリコン太陽電池におけるほう素ドープp型水素化非晶質シリコンと結晶シリコンのヘテロ接合における背面電場の効果
Back-Surface-Field Effects at the Heterojunctions between Boron-Doped p-Type Hydrogenated Amorphous Silicon and Crystalline Silicon in Thin-Film Crystalline Silicon Solar Cells
SAKATA Isao
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
YAMANAKA Mitsuyuki
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SHIMOKAWA Ryuichi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44 号： 10 ページ： 7332-7339 発行年： 2005年10月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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