文献
J-GLOBAL ID:200902200896576888
整理番号:08A0996293
Si(001)基板上にエピタキシャル成長させた強磁性半導体のGe1-xFex薄膜に関するエピタキシャル成長と磁性
Epitaxial Growth and Magnetic Properties of Ferromagnetic Semiconductor Ge1-xFex Thin Films Epitaxially Grown on Si(001) Substrates
著者 (3件):
SHUTO Yusuke
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TANAKA Masaaki
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SUGAHARA Satoshi
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
47
号:
9 Issue 1
ページ:
7108-7112
発行年:
2008年09月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)