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文献
J-GLOBAL ID：200902201009225614
整理番号：06A0510640
Si(111)基板上に作製した3C-SiCエピタキシャル膜の二重位置決め境界の削減
Reduction in double-positioning boundaries in 3C-SiC epitaxial films fabricated on Si (111) substrates
KUSUMORI Takeshi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Chubu 2266-98 Anagahora, Shimoshidami, Moriyama-ku ...)
,
MUTO Hachizo
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Chubu 2266-98 Anagahora, Shimoshidami, Moriyama-ku ...)
,
OKADA Masahisa
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Chubu 2266-98 Anagahora, Shimoshidami, Moriyama-ku ...)
,
JIN Ping
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Chubu 2266-98 Anagahora, Shimoshidami, Moriyama-ku ...)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 513 号： 1-2 ページ： 307-310 発行年： 2006年08月14日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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