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文献
J-GLOBAL ID：200902201163841310
整理番号：06A0416714
二つの異なった正孔濃度を持つ(Ga,Mn)Asの面外磁化反転過程
Out-of-plane magnetization reversal processes of (Ga,Mn)As with two different hole concentrations
HAMAYA K.
(Inst. of Industrial Sci., The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, JPN)
,
TANIYAMA T.
(Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)
,
YAMAZAKI Y.
(Dep. of Innovative and Engineered Materials, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 99 号： 9 ページ： 093903-093903-5 発行年： 2006年05月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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