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文献
J-GLOBAL ID：200902201269718070
整理番号：03A0656781
多層蒸着とアニーリングプロセスを通したMOSCAPおよびnMOSFET用高品質HfAlOx 薄膜形成設計と実証
Design and Proof of High Quality HfAlOX Film Formation for MOSCAPs and nMOSFETs through Layer-by-Layer Deposition and Annealing Process
NABATAME T
(AIST Tsukuba West, Ibaraki, JPN)
,
IWAMOTO K
(AIST Tsukuba West, Ibaraki, JPN)
,
OTA H
(AIST Tsukuba, JPN)
,
TOMINAGA K
(AIST Tsukuba West, Ibaraki, JPN)
,
YAMAMOTO K
(AIST Tsukuba West, Ibaraki, JPN)
,
MIZUBAYASHI W
(AIST Tsukuba, JPN)
,
MORITA Y
(AIST Tsukuba, JPN)
,
HORIKAWA T
(AIST Tsukuba West, Ibaraki, JPN)
,
TORIUMI A
(AIST Tsukuba, JPN)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2003 ページ： 25-26 発行年： 2003年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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