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文献
J-GLOBAL ID：200902201363628548
整理番号：07A0515045
場変調板を有するGaNベース電界効果トランジスタに関する断面電場の観測
Observation of cross-sectional electric field for GaN-based field effect transistor with field-modulating plate
WAKEJIMA Akio
(Res. and Dev. Assoc. for Future Electron Devices, c/o NEC Corp., 2-9-1 Seiran, Otsu, Shiga 520-0833, JPN)
,
OTA Kazuki
(Res. and Dev. Assoc. for Future Electron Devices, c/o NEC Corp., 2-9-1 Seiran, Otsu, Shiga 520-0833, JPN)
,
NAKAYAMA Tatsuo
(Res. and Dev. Assoc. for Future Electron Devices, c/o NEC Corp., 2-9-1 Seiran, Otsu, Shiga 520-0833, JPN)
,
ANDO Yuji
(Res. and Dev. Assoc. for Future Electron Devices, c/o NEC Corp., 2-9-1 Seiran, Otsu, Shiga 520-0833, JPN)
,
OKAMOTO Yasuhiro
(Res. and Dev. Assoc. for Future Electron Devices, c/o NEC Corp., 2-9-1 Seiran, Otsu, Shiga 520-0833, JPN)
,
MIYAMOTO Hironobu
(Res. and Dev. Assoc. for Future Electron Devices, c/o NEC Corp., 2-9-1 Seiran, Otsu, Shiga 520-0833, JPN)
,
KAMIYA Shinichi
(Res. and Dev. Assoc. for Future Electron Devices, c/o Ritsumeikan Univ., 1-1-1 Noji-Higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577 ...)
,
SUZUKI Akira
(Res. Organization of Sci. and Engineering, Ritsumeikan Univ., 1-1-1 Noji-Higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 90 号： 21 ページ： 213504-213504-3 発行年： 2007年05月21日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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