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文献
J-GLOBAL ID：200902201434127006
整理番号：09A0904282
極度非対称X線回折で観測されたMeVイオンのイオン注入によるSi基板中の歪展開
Strain evolution in Si substrate due to implantation of MeV ion observed by extremely asymmetric x-ray diffraction
EMOTO T.
(Dep. of Physics, Toyota National Coll. of Technol., 2-1, Eisei-cho, Toyota 471-8525, JPN)
,
GHATAK J.
(Inst. of Physics, Sachivalaya Marg, Bhubaneswar 751005, IND)
,
SATYAM P. V.
(Inst. of Physics, Sachivalaya Marg, Bhubaneswar 751005, IND)
,
AKIMOTO K.
(Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Naoyga 464-8603, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 106 号： 4 ページ： 043516 発行年： 2009年08月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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