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文献
J-GLOBAL ID:200902201434127006   整理番号:09A0904282

極度非対称X線回折で観測されたMeVイオンのイオン注入によるSi基板中の歪展開

Strain evolution in Si substrate due to implantation of MeV ion observed by extremely asymmetric x-ray diffraction
著者 (4件):
EMOTO T.
(Dep. of Physics, Toyota National Coll. of Technol., 2-1, Eisei-cho, Toyota 471-8525, JPN)
GHATAK J.
(Inst. of Physics, Sachivalaya Marg, Bhubaneswar 751005, IND)
SATYAM P. V.
(Inst. of Physics, Sachivalaya Marg, Bhubaneswar 751005, IND)
AKIMOTO K.
(Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Naoyga 464-8603, JPN)

資料名:
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

巻: 106  号:ページ: 043516  発行年: 2009年08月15日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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