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文献
J-GLOBAL ID：200902201519705300
整理番号：04A0788082
強い粒界ピン止めに起因する非常に高い臨界電流密度を持つMgB2薄膜
MgB2 films with very high critical current densities due to strong grain boundary pinning
KITAGUCHI H
(National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN)
,
MATSUMOTO A
(National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN)
,
KUMAKURA H
(National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN)
,
DOI T
(Kagoshima Univ., Kagoshima, JPN)
,
YAMAMOTO H
(Hitachi Ltd., Kokubunji, JPN)
,
SAITOH K
(Hitachi Ltd., Kokubunji, JPN)
,
SOSIATI H
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
HATA S
(Kyushu Univ., Kasuga, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 85 号： 14 ページ： 2842-2844 発行年： 2004年10月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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