文献
J-GLOBAL ID:200902201737144400
整理番号:06A0384408
高電圧GaNパワーHEMTを使った13.56MHz,E級増幅器の実証
Demonstration of 13.56-MHz Class-E Amplifier Using a High-Voltage GaN Power-HEMT
著者 (7件):
SAITO Wataru
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
DOMON Tomokazu
(Toshiba Business and Life Serv. Corp., Kawasaki, JPN)
,
OMURA Ichiro
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
KURAGUCHI Masahiko
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
TAKADA Yoshiharu
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
TSUDA Kunio
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
YAMAGUCHI Masakazu
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
27
号:
5
ページ:
326-328
発行年:
2006年05月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)