前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902201789653620
整理番号：07A0688276
不揮発性メモリ回路におけるドライバMOSFETのFN劣化の総合的研究
A Comprehensive Study of FN Degradation for Driver MOSFETs in Nonvolatile Memory Circuit
AONO H.
(Renesas Technol. Corp., Ibaraki, JPN)
,
MURAKAMI E.
(Renesas Technol. Corp., Ibaraki, JPN)
,
MIZUNO T.
(Renesas Technol. Corp., Ibaraki, JPN)
,
SATO H.
(Renesas Technol. Corp., Ibaraki, JPN)
,
HARAGUCHI K.
(Renesas Technol. Corp., Ibaraki, JPN)
,
KATO M.
(Renesas Technol. Corp., Ibaraki, JPN)
,
KUBOTA K.
(Renesas Technol. Corp., Ibaraki, JPN)
資料名：
Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium
(Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 44th Vol.1 ページ： 71-75 発行年： 2006年
JST資料番号： A0631A ISSN： 1541-7026 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。