文献
J-GLOBAL ID:200902202015447757
整理番号:03A0197088
NdをドープしたBi4Ti3O12膜の電気特性 無鉛薄膜圧電体の候補
Electromechanical properties of Nd-doped Bi4Ti3O12 films: A candidate for lead-free thin-film piezoelectrics.
著者 (7件):
MAIWA H
(Shonan Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
,
IIZAWA N
(Shonan Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
,
TOGAWA D
(Shonan Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
,
HAYASHI T
(Shonan Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
,
SAKAMOTO W
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
YAMADA M
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
HIRANO S
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
82
号:
11
ページ:
1760-1762
発行年:
2003年03月17日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)