文献
J-GLOBAL ID:200902202052188850
整理番号:04A0601541
フォトリフレクタンスによる強誘電性薄膜/SiO2/Si構造の特性評価
Characterization of Ferroelectric Thin Film/SiO2/Si Structure by Photoreflectance
著者 (5件):
SOHGAWA M
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KANDA H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KANASHIMA T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
FUJIMOTO A
(Wakayama National Coll. Technol., Wakayama, JPN)
,
OKUYAMA M
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Ferroelectrics
(Ferroelectrics)
巻:
303
ページ:
717-721
発行年:
2004年
JST資料番号:
D0777A
ISSN:
0015-0193
CODEN:
FEROA8
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)