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文献
J-GLOBAL ID：200902202064165333
整理番号：06A0148022
無極性(11-20)面上に形成されたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタのノーマリオフ動作
Normally-off Operation of AlGaN/GaN Heterojunction Field Effect Transistors on Non-polar (11-20) plane
黒田正行
(松下電器産業 半導体デバイス研究セ)
,
石田秀俊
(松下電器産業 半導体デバイス研究セ)
,
上田哲三
(松下電器産業 半導体デバイス研究セ)
,
田中毅
(松下電器産業 半導体デバイス研究セ)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 105 号： 524(MW2005 153-162) ページ： 35-39 発行年： 2006年01月12日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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