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文献
J-GLOBAL ID：200902202198088262
整理番号：08A1026157
2.95eVバンドギャップを有する高量子効率InGaN/GaN太陽電池
High quantum efficiency InGaN/GaN solar cells with 2.95 eV band gap
NEUFELD Carl J.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California at Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
TOLEDO Nikholas G.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California at Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
CRUZ Samantha C.
(Materials Dep., Univ. of California at Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
IZA Michael
(Materials Dep., Univ. of California at Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
DENBAARS Steven P.
(Materials Dep., Univ. of California at Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
MISHRA Umesh K.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California at Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 93 号： 14 ページ： 143502 発行年： 2008年10月06日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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