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文献
J-GLOBAL ID：200902202738580102
整理番号：09A0151589
高性能溶液法OFETのための半導体としてのジチエノ[2,3-d;2′,3′-d′]ベンゾ[1,2-b;4,5-b′]ジチオフェン(DTBDT)
Dithieno[2,3-d;2′,3′-d′]benzo[1,2-b;4,5-b′]dithiophene (DTBDT) as Semiconductor for High-Performance, Solution-Processed Organic Field-Effect Transistors
GAO Peng
(Max Planck Inst. Polymer Res., Mainz, DEU)
,
BECKMANN Dirk
(Max Planck Inst. Polymer Res., Mainz, DEU)
,
TSAO Hoi Nok
(Max Planck Inst. Polymer Res., Mainz, DEU)
,
FENG Xinliang
(Max Planck Inst. Polymer Res., Mainz, DEU)
,
ENKELMANN Volker
(Max Planck Inst. Polymer Res., Mainz, DEU)
,
BAUMGARTEN Martin
(Max Planck Inst. Polymer Res., Mainz, DEU)
,
PISULA Wojciech
(Max Planck Inst. Polymer Res., Mainz, DEU)
,
MUELLEN Klaus
(Max Planck Inst. Polymer Res., Mainz, DEU)
資料名：
Advanced Materials
(Advanced Materials)
巻： 21 号： 2 ページ： 213-216 発行年： 2009年01月12日
JST資料番号： W0001A ISSN： 0935-9648 CODEN： ADVMEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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