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文献
J-GLOBAL ID：200902202917884890
整理番号：05A0494579
金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスターの性能を改善するためのHfO2-金属-絶縁体-半導体構造におけるオキシナイトライドバッファー層に関する研究
Study on Oxynitride Buffer Layers in HfO2 Metal-Insulator-Semiconductor Structures for Improving Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor Performance
OTA Hiroyuki
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
YASUDA Naoki
(Assoc. Super-Advanced Electronics Technol., Ibaraki, JPN)
,
YASUDA Tetsuji
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MORITA Yukinori
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MIYATA Noriyuki
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
TOMINAGA Koji
(Assoc. Super-Advanced Electronics Technol., Ibaraki, JPN)
,
KADOSHIMA Masaru
(Assoc. Super-Advanced Electronics Technol., Ibaraki, JPN)
,
MIGITA Shinji
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
NABATAME Toshihide
(Assoc. Super-Advanced Electronics Technol., Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44 号： 4A ページ： 1698-1703 発行年： 2005年04月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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