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J-GLOBAL ID：200902202954485220 整理番号：08A0994775

高制御Si/SiGeエピタキシャル成長による超低消費電力SiGe HBTの実現

Ultra-low-power SiGe HBT Technology with Precisely Controlled Si/SiGe Epitaxial Growth

著者 (4件)：

三浦真

(日立)

小田克矢

(日立)

島本裕巳

(ルネサス北日本セミコンダクタ)

鷲尾勝由

(日立)

資料名：

電気学会電子材料研究会資料 (電気学会研究会資料)

巻： EFM-08 号： 24-34 ページ： 7-11 発行年： 2008年09月27日
JST資料番号： Z0970A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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