前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902203054886454
整理番号：05A0982673
2重標的同時レーザアブレーションによる広ギャップ半導体のその場正孔ドーピング GaNとSiCエピタキシャル膜
In situ hole doping of wide-gap semiconductors by dual-target simultaneous laser ablation: GaN and SiC epitaxial films
MUTO Hachizo
(Materials Res. Inst. for Sustainable Dev., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST) Chubu ...)
,
ASANO Takashi
(Materials Res. Inst. for Sustainable Dev., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST) Chubu ...)
,
WANG Rong-ping
(Materials Res. Inst. for Sustainable Dev., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST) Chubu ...)
,
KUSUMORI Takeshi
(Materials Res. Inst. for Sustainable Dev., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST) Chubu ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 87 号： 16 ページ： 162106-162106-3 発行年： 2005年10月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。